
存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor 美国加州当地时间 23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造,证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久,读写延迟<10ns,85℃ 下数据保持时间>1s(注:这一数据是 JEDEC 为标准 DRAM 给出的 64
4月24日讯 CBA常规赛,深圳99-86战胜广州。本场比赛,深圳外援史密斯表现出色,场上十分全能拿到三双,打了37分钟,投篮19中9,三分球8中3,罚球5中5,贡献26分13篮板13助攻。
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芯片制造,证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久,读写延迟<10ns,85℃ 下数据保持时间>1s(注:这一数据是 JEDEC 为标准 DRAM 给出的 64ms 的 15 倍)。NEO Semiconductor 同时宣布得到了宏碁创始人施振荣领导的新一笔战略投资。相关阅读:广告
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发布时间:10:50:01